MOSFET SuperFET® II de canal N de 600 V, 10.2 A, 380 mΩ

El MOSFET de súper acoplamiento de alto voltaje de On Semiconductor utiliza la tecnología de equilibrio de carga.

Imagen de MOSFET SuperFET® II de canal N de 600 V, 10.2 A, 380 mΩ de Fairchild El MOSFET SuperFET® II es la primera generación de On Semiconductor® de la familia de MOSFET super-junction (SJ, súper unión) que está utilizando la tecnología de equilibrio de carga para un rendimiento con carga de compuerta inferior y una resistencia en modo encendido excepcionalmente bajo. Esta tecnología de avanzada se personaliza para disminuir la pérdida de conducción, ofrecer un rendimiento de conmutación superior y una velocidad dv/dt sorprender y una energía de avalancha más alta. El MOSFET SuperFET II es ideal para varias conversiones de energía de CA-CC para la miniaturización del sistema y mayor eficiencia.

Características
  • 650 V a TJ = 150 °C
  • Máx. RDS (encendido) = 380 mΩ
  • Carga ultra baja de la compuerta (típ. QG = 34 nC)
  • Capacitancia baja de salida efectiva (típ. C0SS. eff = 97 pF)
  • Avalancha 100% probada
Aplicaciones
  • Fuente de alimentación ininterrumpida
  • PDP TV
  • Servidores para PC
  • Computadora portátil
  • Iluminación
  • TV LED
  • TV LCD
  • Monitor LCD
  • EMS
  • DVD/Decodificadores de TV
  • Computadora de escritorio
  • Fuente de alimentación mercante de CC-CC
  • Dispositivos del consumidor
  • Fuente de alimentación mercante de CA-CC

SuperFET II MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºCCantidad disponiblePrecio
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3FCPF380N60-F152MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3600 V10.2H (Tc)0 - Inmediata
42000 - Marketplace
$0.60Ver detalles
Publicado: 2013-09-17