FET eGaN® de alta potencia

Los FET Gen 4 eGaN de EPC ofrecen la resistencia más baja en estado encendido, la capacitancia más baja, la corriente más alta y el rendimiento térmico superior que permite a los convertidores de potencia tener una eficiencia superior al 98%. La nueva familia de FET eGaN recorta la resistencia (R_{DS (ON)}) a la mitad, permitiendo a las aplicaciones de densidad de potencia alta y corriente alta. La última generación de FET eGaN también corta la figura de mérito (FOM) de conmutación dura por la mitad en comparación con la generación anterior para mejorar el rendimiento de conmutación en aplicaciones de conversión de energía de alta frecuencia. Extender los beneficios del rendimiento del GaN a 30 V permite convertidores de CC-CC de alta potencia, convertidores de punto de carga (POL) y rectificadores síncronos para fuentes de alimentación aisladas, PC y servidores.

Características

• Baja resistencia en estado encendido (R_{DS (ON)})
• Mejor figura de mérito (FOM)
• 30 V a 200 V