Placa de evaluación de medio puente GaN EPC9201
La placa de desarrollo de EPC está diseñada para la evaluación del banco con baja temperatura ambiente y enfriamiento por convección.
La placa de desarrollo de EPC mide 11 mm x 12 mm e incluye dos transistores de efecto de campo (FET) de modo de mejora (eGaN®) dispuestos en una configuración de medio puente con un controlador de compuerta integrado LM5113 de Texas Instruments. La finalidad de estas placas de desarrollo es simplificar el proceso de evaluación al optimizar la disposición e incluir todos los componentes críticos en una sola placa que se puede conectar fácilmente en cualquier convertidor existente.
La incorporación de la refrigeración por aire forzado y disipación de calor puede aumentar significativamente la corriente nominal de estos dispositivos, pero debe tener cuidado de no sobrepasar la temperatura máxima absoluta de la matriz de 150 °C.
| Aplicaciones | Beneficios |
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EPC9201 GaN Half Bridge Eval Board
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Integradas | Pieza/CI utilizado | Cantidad disponible | Precio | ||
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![]() | ![]() | EPC9201 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | No | EPC2015 | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles |




