FET GaN de 80 V para aplicaciones automotrices EPC2252 de EPC
El transistor de potencia en modo mejora de EPC es ideal para diseñar sistemas LiDAR de mayor resolución.
El transistor EPC2252 de EPC de 80 V y 11 mΩ suministra una corriente pulsada de 75 A en un tamaño de 1,5 mm x 1,5 mm. El EPC2252 ofrece a los diseñadores de sistemas de alimentación dispositivos significativamente más pequeños y eficientes que los MOSFET de silicio para LiDAR de grado automotriz que se encuentran en la conducción autónoma y otras aplicaciones ADAS, conversión de 48 VCC/CC a 12 VCC/CC y accionamientos de motor de baja inductancia.
La velocidad de conmutación rápida del GaN, con transiciones de subnanosegundos y la capacidad de generar pulsos de alta corriente en menos de 3 ns, da como resultado un mayor alcance y alta resolución en LiDAR para la conducción autónoma, el aparcamiento y para evitar colisiones.
- Alta frecuencia de conmutación
- ID: 8,2 A
- VDS: 80 V
- RDS(ON): 11 mΩ máx
- Espacio ultrapequeño: 1,5 mm x 1,5 mm
- Alta eficiencia
- Calificado según AEC-Q101
- Conversión de CC/CC de 48 V para uso automotriz
- Vehículos eléctricos híbridos suaves
- Infoentretenimiento
- LiDAR automotriz
- Vehículos autónomos
- Movilidad eléctrica
- Servidores de 48 V
- Convertidores de punto de carga
- Audio clase D
- Iluminación LED
- Controladores de motor de baja inductancia
EPC2252 Automotive Qualified 80 V GaN FET
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC2252 | TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA | 17531 - Inmediata | $2.59 | Ver detalles |






