FET GaN de 80 V para aplicaciones automotrices EPC2252 de EPC

El transistor de potencia en modo mejora de EPC es ideal para diseñar sistemas LiDAR de mayor resolución.

Imagen del FET eGaN® de 80 V para aplicaciones automotrices EPC2252 de EPCEl transistor EPC2252 de EPC de 80 V y 11 mΩ suministra una corriente pulsada de 75 A en un tamaño de 1,5 mm x 1,5 mm. El EPC2252 ofrece a los diseñadores de sistemas de alimentación dispositivos significativamente más pequeños y eficientes que los MOSFET de silicio para LiDAR de grado automotriz que se encuentran en la conducción autónoma y otras aplicaciones ADAS, conversión de 48 VCC/CC a 12 VCC/CC y accionamientos de motor de baja inductancia.

La velocidad de conmutación rápida del GaN, con transiciones de subnanosegundos y la capacidad de generar pulsos de alta corriente en menos de 3 ns, da como resultado un mayor alcance y alta resolución en LiDAR para la conducción autónoma, el aparcamiento y para evitar colisiones.

Características
  • Alta frecuencia de conmutación
  • ID: 8,2 A
  • VDS: 80 V
  • RDS(ON): 11 mΩ máx
  • Espacio ultrapequeño: 1,5 mm x 1,5 mm
  • Alta eficiencia
  • Calificado según AEC-Q101
Aplicaciones
  • Conversión de CC/CC de 48 V para uso automotriz
    • Vehículos eléctricos híbridos suaves
    • Infoentretenimiento
  • LiDAR automotriz
    • Vehículos autónomos
    • Movilidad eléctrica
  • Servidores de 48 V
  • Convertidores de punto de carga
  • Audio clase D
  • Iluminación LED
  • Controladores de motor de baja inductancia

EPC2252 Automotive Qualified 80 V GaN FET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGAEPC2252TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA17531 - Inmediata$2.59Ver detalles
Publicado: 2023-01-27