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Los FET de GaN EPC2218A y EPC2204A
El FET de GaN de EPC es ideal para la electrónica de vehículos y la autonomía avanzada
El transistor de efecto de campo (FET) de GaN EPC2218A de corriente pulsada de 231 A, 80 V, 3.2 mΩ y el FET de GaN EPC2204A de corriente pulsada de 125 A, 80 V, 6 mΩ de 
EPC les ofrecen a los diseñadores una solución significativamente mejor y más eficiente que los MOSFET de silicio para conversión de CC/CC de uso automotriz de 48 V a 12 V, infoentretenimiento y LIDAR para conducción autónoma.
Las menores cargas de compuerta (QGD) y las pérdidas de recuperación inversa cero (QRR) permiten un funcionamiento a alta frecuencia de 1 MHz y superior. Combinados con una alta eficiencia en un espacio mínimo, estos factores permiten una densidad de potencia de vanguardia.
Aplicaciones
- Conversión de CC/CC de 48 V para uso automotriz
- Vehículos eléctricos híbridos suaves
- Infoentretenimiento
- Lidar para automóviles
- Vehículos autónomos
- Movilidad eléctrica
EPC2218A and EPC2204A GaN FETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Vgs(th) (máx) a Id | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2204A | TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101 | 29A (Ta) | 2.5V a 4mA | 6mOhm a 16A, 5V | 0 - Inmediata | $3.69 | Ver detalles |
|  | EPC2218A | TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101 | 60 A (Ta) | 2.5V a 7mA | 3.2mOhm a 25A, 5V | 18483 - Inmediata | $6.21 | Ver detalles |
Publicado: 2023-01-13
México