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Transistores EPC2100 y placa de desarrollo EPC9036
Medio puente eGaN® monolítico de EPC
Transistores GaN de medio puente monolítico de modo mejorado de EPC amplían aún más la brecha de rendimiento entre la tecnología eGaN® y el silicio tradicional. Los dispositivos de medio puente monolíticos ahorran espacio, mejoran la eficiencia y disminuyen los costos del sistema.
Aumentar la eficiencia - Los dispositivos de medio puente monolíticos eliminan las inductancias de interconexión para mayor eficiencia, especialmente a mayores frecuencias.
Ahorrar espacio en la placa - Los dispositivos monolíticos ahorran 60% del espacio de la etapa de energía en la placa CI.
Simplificación GaN - Los dispositivos monolíticos aumentan las eficiencias de fabricación mientras reducen los costos de montaje.
EPC2100 Transistor
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Característica de FET | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Cantidad disponible | Precio | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2100 | MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE | - | 30V | 220 - Inmediata | $10.76 | Ver detalles |
EPC9036 Dev Board
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Función | Integradas | Pieza/CI utilizado | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC9036 | EVAL BOARD FOR EPC2100 | Unidad de medio puente H (FET externa) | No | EPC2100 | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles |
Actualizado: 2019-04-30
Publicado: 2014-09-23
México