Alliance Memory, Inc.

SDRAM CMOS de alta velocidad x32

Los SDRAM CMOS de alta velocidad de Alliance Memory'ofrecen rango de temperatura industrial desde -40°C a+85°C.

Los DRAM sincrónicos (SDRAM) CMOS de alta velocidad de 2M x 32 (AS4C2M32SA-6TIN y AS4C2M32S-6BIN), 4M x 32 (AS4C4M32SA-6TIN y AS4C4M32S-6BIN) y 8M x 32 (AS4C8M32S-6TIN y AS4C8M32S-6BIN) de Imagen de SDRAM x32 CMOS de alta velocidad de Alliance MemoryAlliance Memory ofrecen un rango de temperatura industrial de -40 °C a + 85 °C. Estos dispositivos proporcionan reemplazo confiable, compatible pin por pin para un número de soluciones similares en productos que requieren gran ancho de banda.

Características y beneficios

  • Se ofrecen en paquete TFBGA de 90 bolas de 8 mm x 13 mm x 1.2 mm
    • Los dispositivos de 2M x 32 y 4M x 32 también están disponibles en el paquete TSOP II plásticos de 86 pines y calificación militar 400.
    • Los dispositivos 8M x 32 también están disponibles en paquete TSOP II de 54 pines.
  • Disponibles en rangos de temperatura comercial e industrial:
    • 0°C a 70°C (AS4C2M32SA-6&7TCN/AS4C4M32SA-6&7TCN/AS4M32S-6BIN y AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN)
    • -40°C a +85°C (AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN, AS4C4M32SA-6TIN/AS4C4M32S-6BIN y AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN)
  • Tiempo de acceso rápido del reloj: hasta 5.4 ns
  • Tarifas de reloj rápido de 143 MHZ y de 166 MHZ (8M x 32, 4M x 32 y 2M x 32)
  • Longitudes de ráfaga de lectura o escritura programable de uno, dos, cuatro, ocho, o página completa con una opción de terminación de ráfaga
  • Función de precarga automática que proporciona una fila precargada con autosincronización, que se inicia al final de la secuencia de ráfaga
  • Función de actualización fácil de usar que incluyen actualización automática
  • Modo de registro programable que permite al sistema elegir los modos más aptos para maximizar el rendimiento

Aplicaciones

  • Industrial
  • Comercial
  • Médico
  • Telecomunicaciones
  • Productos de redes

x32 SDRAM ICs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-6TCNIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0 - Inmediata$5.33Ver detalles
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGAAS4C2M32S-6BINIC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA0 - Inmediata$10.19Ver detalles
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGAAS4C2M32S-7BCNIC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA362 - Inmediata$6.93Ver detalles
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-7TCNIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II12 - Inmediata$5.90Ver detalles
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-6TINIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0 - Inmediata$8.51Ver detalles
Publicado: 2016-02-24

Related Product Highlight

SDRAM CMOS de alta velocidad Alliance Memory extiende sus líneas de SDRAM de 64 M y 128 M con los dispositivos AS4C2M32S de 2 M x 32 y AS4C4M32S de 4 M x 32. Los DRAM sincrónicos CMOS (SDRAM) de alta velocidad se ofrecen en paquete TFBGA de 90 bolas y 8 mm x 13 mm x 1.2 mm y paquete TSOP II plástico de 86 pines y clasificación 400 Mil.