Serie DataFlash® E

La serie DataFlahs "E" de Adesto Technologies es una nueva familia de dispositivos de memoria no volátil con menores requerimientos de energía y funciones inteligentes para lograr una mayor eficiencia del sistema y disminuir los costos del sistema. La serie DataFlash E ofrece una gama de características y opciones que incluyen capacidades líderes de la industria tales como un amplio voltaje de V_CC y un modo "ultra deep power down" (consumo ultra bajo). Los productos de la serie E incluyen también nuevas características "inteligentes" para mejorar el rendimiento del sistema como "escritura de byte" eficiente que no requiere un gran borrado de bloque y un comando "erase-program-suspend-resume" (borrar programa, suspender reinicio) de estándar industrial.

Byte-write: Verdadera función E²PROM serial en un dispositivo Flash serial

Con los dispositivos de la serie E de Adesto, los programadores activan un solo comando de software para borrar/escribir un solo byte. Esto difiere de los productos estándares de Flash serial que requieren un borrado de bloque de 4 Kb. Eso significa que menos gestión de memoria se requiere desde el controlador de host, liberándolo para operaciones de prioridad más altas. Menos gestión de memoria también significa una menor huella de software en la SRAM del controlador, proporcionando al diseñador la flexibilidad para utilizar un microcontrolador más pequeño o prescindir de una SRAM externa.

Apagado ultra profundo

La serie E ofrece ahorro máximo de energía, mediante una instrucción de software simple para un consumo ultrabajo. El modo de bajo consumo de la serie E se mide en nano-amperios, un orden de magnitud mejor que otros productos de la competencia. El control del software de consumo bajo permite al diseñador eliminar los componentes de hardware adicionales tales como reguladores de voltaje (LDO) de derivación baja o transistores.

Operación V_CC extendida

Para dispositivos móviles o a batería, los productos de la serie DataFlash E pueden ejecutar sin regulación para maximizar la duración de la batería de 1.65 V a 3.6 V de manera interrumpida. En una comparación de piezas estándares de V_CC, el rango de tensión prolongada puede maximizar la duración de la batería hasta un 1.000 por ciento mientras que elimina el costo de los reguladores de voltaje (LDO) de baja caída.

Lectura de baja potencia

Para aplicaciones que se ejecutan a partir de MCU/CPU más pequeños, más lentos y no operan en rangos altos MHz, DataFlash ahora es compatible con un comando de lectura de bajo consumo que puede aumentar el ahorro energético por típicamente 20% más en frecuencias de reloj debajo de 10 MHz en comparación con las opciones de comando de lectura estándar.

La familia de la serie E incluye una variedad de densidades, ideal para una grabadora de voz, imagen, código de programa, almacenamiento de datos y otras aplicaciones de memoria.

Características
Densidades de 1 Mbit a 64 Mbit Arquitectura pequeña del array de página Funcionamiento VCC extendido, continua 1.65 V 3.6 V y 2.3 V a 3.6 V Operación de borrar-modificar-escribir de byte con comando único, de flash serial y primera en la industria Páginas que pueden borrarse de forma individual de 256/264 o 512/528 bytes cada uno Búferes SRAM dobles, independientes y en chip El tamaño del búfer SRAM es igual al tamaño de la página de la memoria Flash Instrucciones ricas en comados establecidas para sobrecarga de CPU reducida		Operaciones de lectura de bajo consumo mejorada Opciones de apagado con consumo cero: < 500nA en modos en espera Capacidad de reinicio del software Comando borrar-programar-suspender-reanudar para operaciones de lectura/escritura concurrentes 104 MHz, 85 MHz de SPI, Soporte de E/S doble y cuádruple Protección del sector individual y bloqueo del sector "OTP" Registro de seguridad OTP de 128 bytes 100,000 ciclos por página como mínimo Id. del dispositivo y fabricante JEDEC como estándar