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DigiKey ha anunciado hoy que la empresa ha recibido 29 premios de sus socios proveedores durante la Cumbre de Liderazgo EDS 2026, celebrada del 18 al 22 de mayo en Las Vegas.
Los MOSFET de doble canal N y P de 100 V de Micro Commercial Co en encapsulado DFN3333-D están diseñados para aplicaciones de potencia compactas.
El diodo Schottky de SiC SICWT40120G6M de MCC está optimizado para sistemas de potencia exigentes que requieren un funcionamiento fiable en condiciones extremas.
Los MOSFET de doble canal N MCACLS1D6N06YH-TP de MCC están diseñados para la conmutación de potencia de alta eficiencia y etapas de potencia compactas.
Los MOSFET MCC de 100 V de canal N cuentan con tecnología MOSFET de trinchera con compuerta dividida, optimizada para bajas pérdidas de maniobra y mayores eficiencias.
El MCC MCACL190N06Y-TP es un MOSFET de canal N de 60 V de alto rendimiento en el encapsulado compacto DFN5060-C.
El MOSFET de canal N y 40 V MCTLD58N04Y-TP de MCC se caracteriza por su alta resistencia a la avalancha para una protección fuerte contra el retroceso inductivo y la fiabilidad del sistema.
La serie de MOSFET de potencia MCAC de Micro Commercial Components está disponible en las clases VDS de 40 V y 100 V para soportar diversas arquitecturas de potencia.
Los IGBT MIW40NxxAH2Y de Micro Commercial Components son ideales para la conmutación de alta tensión, la estabilidad térmica y la fiabilidad eléctrica en sistemas de alimentación exigentes.
La matriz de MOSFET de canal N doble de alta eficiencia MCACD8D5N06YL-TP de 60 V y 50 A se aloja en el compacto encapsulado de montaje superficial PDFN5060-8D.
Los diodos Schottky de SiC SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP de MCC ofrecen una eficiencia de conmutación superior, una recuperación inversa insignificante y estabilidad térmica.
Los encapsulados compactos DPAK y de alta temperatura D2PAK de MCC están optimizados para diseños de alta densidad que requieren un manejo fiable de la potencia y una disipación eficaz del calor.
El MOSFET de canal N de 90 mΩ y 8,1 A serie MCMWF090N06LKHE3-TP de Micro Commercial Components es ideal para aplicaciones automotrices de potencia baja a media.
Los diodos de barrera Schottky de SiC de 1200 V con calificación AEC-Q101 de Micro Commercial Components ofrecen pérdida de conmutación ultrabaja y conversión de potencia a alta temperatura
La serie de diodos Schottky de SiC de Micro Commercial Components para rectificación de alto voltaje, baja pérdida de recuperación y rendimiento térmico en conversión de potencia.
Understand the difference between 8/20 and 10/1000 current waveform pulses.
Diodos Zener
Fecha de publicación: 2026-02-19
MCC ofrece una amplia cartera de diodos Zener diseñados para satisfacer diversas necesidades de aplicación.
Los diodos TVS de la serie SMHE de MCC, con tensiones de trabajo de 5,0 V a 90 V, en encapsulado SOD-323HE-B, ofrecen una protección de la electrónica sensible contra los transitorios inducidos.
Rectificadores de puente de la serie GBJ
Fecha de publicación: 2026-01-29
La serie de puentes rectificadores de baja tensión de 600 V y 800 V de Micro Commercial Components (MCC) se presenta en encapsulado GBJ, disponible en potencias de 15 A, 25 A y 35 A.
El MCAC4D4N04YL-TP de Micro Commercial Components es un MOSFET de canal N de alto rendimiento en el paquete miniatura DFN5060 diseñado para aplicaciones con limitaciones de espacio.
