FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
251
En stock
1 : $8.30000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
6.2A (Tc)
20V
1Ohm a 2A, 20V
4V a 1mA
13 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2,221
En stock
1,350
Fábrica
1 : $11.79000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22A (Tc)
20V
200mOhm a 10A, 20V
4V a 5mA
57 nC @ 20 V
+22V, -6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
369
En stock
1 : $19.43000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
39A (Tc)
20V
100mOhm a 20A, 20V
4V a 10mA
95 nC @ 20 V
+22V, -6V
1825 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
873
En stock
1 : $9.78000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
6.4A (Tc)
20V
1Ohm a 2A, 20V
4V a 1mA
11 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $27.45000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
70A (Tc)
20V
50mOhm a 40A, 20V
4V a 20mA
175 nC @ 20 V
+22V, -6V
317 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
En stock
450 : $3.54751
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5A (Tc)
15V, 20V
1Ohm a 2A, 20V
4V a 1mA
15 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
27A (Tc)
20V
150mOhm a 14A, 20V
4V a 7mA
80 nC @ 20 V
+22V, -6V
1125 pF @ 800 V
-
139W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
27A (Tc)
20V
150mOhm a 14A, 20V
4V a 7mA
63 nC @ 20 V
+22V, -6V
1130 pF @ 800 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
100A (Tc)
20V
32mOhm a 50A, 20V
4V a 30mA
265 nC @ 20 V
+22V, -6V
495 pF @ 800 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
39A (Tc)
20V
100mOhm a 20A, 20V
4V a 10mA
92 nC @ 20 V
+22V, -6V
170 pF @ 800 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22A (Tc)
20V
200mOhm a 10A, 20V
4V a 5mA
50 nC @ 20 V
+22V, -6V
890 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
27A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-7
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-7
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
39A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Demostración
de 14

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.