Índice de productos > Circuitos integrados > PMIC - controladores de compuerta

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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Configuración dirigida Tipo de canal Cantidad de controladores Tipo de compuerta Voltaje de la fuente Voltaje lógico - VIL, VIH Corriente - salida pico (fuente, disipación) Tipo de entrada Voltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque) Tiempo de subida/bajada Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 18,000 - Inmediata Disponible: 18,000 $0.21750 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 19,246 - Inmediata Disponible: 19,246 $0.58000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 19,246 - Inmediata Disponible: 19,246 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 9,000 - Inmediata Disponible: 9,000 $0.25740 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
-
8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 11,281 - Inmediata Disponible: 11,281 $0.63000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
-
8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 11,281 - Inmediata Disponible: 11,281 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
-
8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 0 Disponible: 0
Plazo estándar 14 semanas
$0.29700 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 1,355 - Inmediata Disponible: 1,355 $0.74000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
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10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 1,355 - Inmediata Disponible: 1,355 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 27,500 - Inmediata Disponible: 27,500 $0.30015 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 31,954 - Inmediata Disponible: 31,954 $0.80000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 31,954 - Inmediata Disponible: 31,954 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-2-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 17,500 - Inmediata Disponible: 17,500 $0.30015 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
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5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-1-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 20,614 - Inmediata Disponible: 20,614 $0.80000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
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5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-6-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 20,614 - Inmediata Disponible: 20,614 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
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5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 21,000 - Inmediata Disponible: 21,000 $0.33165 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
8 A, 8 A No inversor
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13.4 ns, 12.4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 21,729 - Inmediata Disponible: 21,729 $0.82000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
8 A, 8 A No inversor
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13.4 ns, 12.4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 21,729 - Inmediata Disponible: 21,729 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
8 A, 8 A No inversor
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13.4 ns, 12.4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 5,000 - Inmediata Disponible: 5,000 $0.36960 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2
-
4.5 V ~ 5.5 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA No inversor
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50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 8,770 - Inmediata Disponible: 8,770 $0.90000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2
-
4.5 V ~ 5.5 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA No inversor
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50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 8,770 - Inmediata Disponible: 8,770 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2
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4.5 V ~ 5.5 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA No inversor
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50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFTR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,000 - Inmediata Disponible: 15,000 $0.37191 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
µHVIC™ Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 10.2 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFCT-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,292 - Inmediata Disponible: 15,292 $0.90000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
µHVIC™ Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 10.2 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFDKR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,292 - Inmediata Disponible: 15,292 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
µHVIC™ Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 10.2 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 42,000 - Inmediata Disponible: 42,000 $0.40600 2,000 Mínimo: 2,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
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07:17:02 1/16/2019