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MUN5335DW1T1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble) 50V 100mA 250mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5335DW1T1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key MUN5335DW1T1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MUN5335DW1T1G
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Descripción TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble) 50V 100mA 250mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos MUN5335DW1, NSBC123JPDxx
Información de RoHS Material Declaration MUN5335DW1T1G
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 08/Jun/2009
Ensamble/origen de PCN Wafer Source Addition 26/Nov/2014
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 100mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 2.2kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2) 47kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 5mA, 10V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 250mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Número de pieza base MUN53**DW1
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres MUN5335DW1T1GOSCT