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IRL640A Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.49000 $1.49
10 1.33400 $13.34
25 1.26600 $31.65
100 0.94940 $94.94
500 0.80474 $402.37
1,000 0.65555 $655.55
2,500 0.64650 $1,616.26
5,000 0.61034 $3,051.68

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Número de pieza de Digi-Key IRL640A-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRL640A
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Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) TO-220-3

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IRL640A
TO220B03 Pkg Drawing
Información de RoHS Material Declaration IRL640A
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN MFG Site Addition 09/Mar/2020
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML TO220B03 Pkg Drawing
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 9A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1705pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base IRL64
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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