USD
Favorito

FDMS86150 Canal N Montaje en superficie 100V 16 A (Ta), 60 A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Power56
Precio y compra
7,391 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.70000 $2.70
10 2.42800 $24.28
25 2.29520 $57.38
100 1.83600 $183.60
500 1.63200 $816.00
1,000 1.39740 $1,397.40

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDMS86150TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.37700
  • Digi-Reel®  : FDMS86150DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,391 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FDMS86150

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDMS86150CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante FDMS86150
Copiar  
Descripción MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 16 A (Ta), 60 A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Power56

Copiar  
Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos FDMS86150
Información de RoHS Material Declaration FDMS86150
Producto destacado Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Material Chg 7/Apr/2020
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16 A (Ta), 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.85mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4065pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Power56
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base FDMS86
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

ADC108S022CIMT/NOPB

IC ADC 10BIT SAR 16TSSOP

Texas Instruments

$4.45000 Detalles

BSZ130N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Infineon Technologies

$0.57000 Detalles

PMN70EPEX

MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP

Nexperia USA Inc.

$0.08235 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDMS86150CT