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FCPF165N65S3L1 Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 35W (Tc) TO-220F-3
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.59000 $2.59
10 2.32700 $23.27
25 2.19560 $54.89
100 1.87060 $187.06
1,000 1.27342 $1,273.42
3,000 1.18560 $3,556.79
5,000 1.14169 $5,708.43

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF165N65S3L1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF165N65S3L1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 35W (Tc) TO-220F-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCPF165N65S3L1
Información de RoHS Material Declaration FCPF165N65S3L1
Producto destacado 650 V, SuperFET® III MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Mold Compound 09/Apr/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 1.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1415pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

02:31:15 7/22/2019