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FCH023N65S3-F155 Canal N Orificio pasante 650V 75 A (Tc) 595W (Tc) TO-247 conductores largos
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1 11.70000 $11.70
10 10.75500 $107.55
25 10.30920 $257.73
450 8.63731 $3,886.79
900 8.08006 $7,272.05

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCH023N65S3-F155-ND
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Cantidad disponible 226
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCH023N65S3-F155

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Descripción MOSFET N-CH 650V 75A TO247
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 75 A (Tc) 595W (Tc) TO-247 conductores largos

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Documentos y medios
Hojas de datos FCH023N65S3
Información de RoHS Material Declaration FCH023N65S3-F155
Producto destacado 650 V, SuperFET® III MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Mold Compound 09/Apr/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Número de pieza de PCN Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23mOhm a 37.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 222nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7160pF @ 400V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 595W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 conductores largos
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo Sin plomo
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres FCH023N65S3_F155
FCH023N65S3_F155-ND

14:45:37 7/21/2019