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IRFS3307ZTRLPBF Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 230W (Tc) D2PAK
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10 2.19100 $21.91
25 2.06720 $51.68
100 1.61230 $161.23

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS3307ZTRLPBFTR-ND
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  • Digi-Reel®  : IRFS3307ZTRLPBFDKR-ND
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  • Cantidad disponible: 15,411 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS3307ZTRRPBF-ND
  • Cantidad mínima: 800  Agotado 
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  • Precio unitario: $1.36423

IRFS3307ZTRLPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS3307ZTRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 230W (Tc) D2PAK

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B/S/SL)3307ZPbF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5.8mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRFS3307ZTRLPBFCT