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IPB320N20N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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10 2.44200 $24.42
25 2.30840 $57.71
100 1.84680 $184.68
500 1.64160 $820.80

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  • Digi-Reel®  : IPB320N20N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,233 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB320N20N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB320N20N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB320N20N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IPx320N20N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 32mOhm a 34A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB320N20N3 GCT
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IPB320N20N3GATMA1CT