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IPB017N06N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 180 A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-7
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1 2.77000 $2.77
10 2.48500 $24.85
25 2.34920 $58.73
100 1.87920 $187.92
500 1.67040 $835.20

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  • Digi-Reel®  : IPB017N06N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,468 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB017N06N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB017N06N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB017N06N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 180 A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-7

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IPB017N06N3
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 60V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 196µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 275nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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IPB017N06N3 GCT-ND
IPB017N06N3GATMA1CT