USD
Favorito

BSC036NE7NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) PG-TDSON-8-7
Precio y compra
6,676 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.98000 $2.98
10 2.67400 $26.74
25 2.52760 $63.19
100 2.02210 $202.21
500 1.79744 $898.72
1,000 1.53906 $1,539.06
2,500 1.51659 $3,791.48

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSC036NE7NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.38178
  • Digi-Reel®  : BSC036NE7NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,676 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC036NE7NS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante BSC036NE7NS3GATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 75V 100A 8TDSON
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) PG-TDSON-8-7

Copiar  
Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos BSC036NE7NS3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chg 15/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 75V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 110µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4400pF @ 37.5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

BSC057N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

Infineon Technologies

$1.49000 Detalles

BSC070N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Infineon Technologies

$1.52000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSC036NE7NS3GATMA1CT