Transistores - JFET

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Fabricante
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationMICROSS/On SemiconductorNTE Electronics, IncNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic Components
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Serie
-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
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Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
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Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
Dos canal N (doble)-Canal NCanal P
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Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 mV0.6 V600 mV15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V
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Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
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Consumo de corriente (Id) - Máximo
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA15 mA20 mA30 mA50 mA26 A32 A
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Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
0.7pF a 10V1pF a 10V1.7pF a 10V2.2pF a 15V3pF a 10V3.1pF a 2V3.5pF a 2V3.5pF a 5V4pF a 10V4pF a 15V4.1pF a 5V4.5pF a 15V4.9pF a 5V
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Resistencia - RDS (Encendido)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms7 Ohms
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Potencia - Máx.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-20°C ~ 80°C (TA)
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Tipo de montaje
-Montaje en superficieOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductor plano3-SMD, sin conductor3-SSIP3-XFDFN4-SMD, sin conductor5-SMD, conductores planos5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-363-MoldeSC-70, SOT-323SC-72SC-74, SOT-457
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Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3.09x2.45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP-
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Opciones de almacenamiento
Medios de comunicación
Opciones ambientales
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Serie
Paquete
Estado de la pieza
Tipo FET
Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
Consumo de corriente (Id) - Máximo
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Resistencia - RDS (Encendido)
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
MMBFJ112
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
$0.42000
8,780 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBFJ112TR-ND
MMBFJ112CT-ND
MMBFJ112DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBFJ201
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
$0.49000
37,451 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBFJ201TR-ND
MMBFJ201CT-ND
MMBFJ201DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V-200 µA @ 20 V-300 mV @ 10 nA--350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF5457
JFET N-CH 25V 350MW SOT23
$0.50000
2,274 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBF5457TR-ND
MMBF5457CT-ND
MMBF5457DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N25 V-1 mA @ 15 V-500 mV @ 10 nA7pF a 15V-350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF4117
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
$0.53000
1,205 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBF4117TR-ND
MMBF4117CT-ND
MMBF4117DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V-30 µA @ 10 V-600 mV @ 1 nA3pF a 10V-225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
$3.14000
15,870 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF a 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
$3.20000
3,940 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.47000
11,190 - Immediate
36,000 - Factory
onsemionsemi
1
J111-D74ZCT-ND
J111-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.39000
17,261 - Immediate
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.51000
21,424 - Immediate
74,000 - Factory
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.41000
3,703 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.43000
7,734 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J176-D74Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92
$0.53000
3,336 - Immediate
onsemionsemi
1
J176-D74ZCT-ND
J176-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal P30 V-2 mA @ 15 V-1 V @ 10 nA-250 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
$0.45000
9,684 - Immediate
onsemionsemi
1
J175-D26ZTR-ND
J175-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal P30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J109-D26Z
JFET N-CH 25V 625MW TO92
$0.55000
3,533 - Immediate
onsemionsemi
1
J109-D26ZTR-ND
J109-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)TO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880GRTE85LF
JFET N-CH 50V 0.1W USM
$0.62000
3,000 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880GRTE85LFTR-ND
2SK880GRTE85LFCT-ND
2SK880GRTE85LFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N50 V-2.6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323SC-70
SC-74A, SOT-753
2SK2145-Y(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
$0.71000
5,024 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-Y(TE85LF)TR-ND
2SK2145-Y(TE85LF)CT-ND
2SK2145-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)--1.2 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-300 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SMV
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
2SK3320-BL(TE85L,F
JFET DUAL N-CH USV
$0.79000
3,037 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK3320-BL(TE85LFTR-ND
2SK3320-BL(TE85LFCT-ND
2SK3320-BL(TE85LFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-200 mW125°C (TJ)Montaje en superficie5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353USV
6-CPH
CPH6904-TL-E
JFET 2N-CH 0.7W CPH6
$0.72000
3,206 - Immediate
onsemionsemi
1
CPH6904-TL-EOSTR-ND
CPH6904-TL-EOSCT-ND
CPH6904-TL-EOSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)--20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF a 5V-700 mW150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74, SOT-4576-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.42000
8,838 - Immediate
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.43000
18,946 - Immediate
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.50000
29,567 - Immediate
70,000 - Factory
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
$4.40000
212 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF a 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S
1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
$13.86000
129 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120070K3S-ND
-
Tubo
ActivoCanal N1200 V1200 V-33.5 A-985pF a 100V90 mOhms254 W-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
$17.79000
408 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Tubo
ActivoCanal N650 V650 V-85 A-2360pF a 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
$25.48000
211 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120035K3S-ND
-
Tubo
ActivoCanal N1200 V1200 V-63 A-2145pF a 100V45 mOhms429 W-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
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