Transistores - JFET | DigiKey, distribuidor de componentes electrónicos

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)	Consumo de corriente (Id) - Máximo	Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Resistencia - RDS (Encendido)	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	5,348 En stock	1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21824 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14,916 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27322 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF a 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Central Semiconductor Corp	6,000 En stock	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	4,956 En stock	1 : $0.55000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	2,728 En stock	1 : $3.20000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1,591 En stock	1 : $29.30000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5,885 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11271 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF a 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	0 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11997 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	20,863 En stock 16,000 Factory	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.12451 Cinta y caja	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12,828 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.12905 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7,090 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15515 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8.2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	3,258 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15515 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8.2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15,263 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.15516 Cinta y caja	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
SMMBF4393LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	35,647 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20034 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	30 V	30 V	30 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	14pF a 15V (VGS)	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	9,396 En stock 144,000 Factory	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.20136 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14,681 En stock	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24882 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF a 5V	-	400 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30,970 En stock	1 : $0.43000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	5,639 En stock	1 : $0.44000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8,773 En stock	1 : $0.48000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	7,801 En stock 9,000 Factory	1 : $2.91000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.62750 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF a 5V	-	-	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaje en superficie	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	12,718 En stock	1 : $3.14000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2,186 En stock	1 : $5.46000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF a 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	4,255 En stock	1 : $9.48000 Cinta cortada (CT) 800 : $6.17210 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3,532 En stock	1 : $8.74000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4,377 En stock	1 : $15.94000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF a 100V	90 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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Transistores - JFET

Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.

Transistores - JFET

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