Arreglos FET, MOSFET

Resultados : 5,695
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-Carburo de silicio (SiC)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Configuración
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (doble), canal P2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 Canal N, drenaje común2 canal P (dual), drenaje común2 canal P (medio puente)2 canales N2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P
Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 10VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VModo de exclusión
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.46mOhm a 160A, 12V0.762mOhm a 160A, 12V0.765mOhm a 160A, 12V, 0.580mOhm a 160A, 12V0.765mOhm a 160A, 12V, 0.710mOhm a 160A, 12V0.8mOhm a 1200A, 10V0.88mOhm a 160A, 14V, 0.71mOhm a 160A, 14V0.88mOhm a 50A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V0.99mOhm a 80A, 10V, 1.35mOhm a 80A, 10V1.039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1.2mOhm a 800A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2.8A, 200mV a 1.9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4pC a 4.5V, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.28nC a 4.5V0.28nC a 4.5V, 0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V, 0.28nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V
Potencia - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-AlphaDFN (1.9x1.3)4-BGA (1x1)4-CSP (0.8x0.8)4-CSP (1.11x1.11)4-CSP (1.1x1.1)4-CSP (1.29x1.29)4-CSP (1.74x1.74)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
5,695Resultados

Demostración
de 5,695
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Configuración
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
775,266
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05719
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V
50V
200mA
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
354,008
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05846
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V
50V
200mA
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
242,935
En stock
382,500
Fábrica
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.07875
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal P (doble)
Compuerta de nivel lógico
30V
3.9A
70mOhm a 5.3A, 10V
3V a 250µA
11nC a 10V
563pF a 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147,875
En stock
72,000
Fábrica
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11813
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
540mA
550mOhm a 540mA, 4.5V
1V a 250µA
-
150pF a 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170,172
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P, drenaje común
Compuerta de nivel lógico
30V
6 A, 5.5 A
30mOhm a 6A, 10V
2.4V a 250µA
6.3nC a 10V
310pF a 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
151,450
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06156
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
60V
230mA
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
70,442
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09484
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
610mA (Ta)
396mOhm a 500mA, 4.5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
34,513
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.06258
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
21,064
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06285
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
320mA
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8nC a 4.5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
213,601
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06447
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
20V
250mA (Ta)
2.2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
127,761
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06004
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
295mA
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.9nC a 4.5V
26pF a 20V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
121,332
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09642
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
30V
250mA
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
1.3nC a 5V
33pF a 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
38,607
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09816
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
950mA
350mOhm a 950mA, 4.5V
1.2V a 1.6µA
0.32nC a 4.5V
63pF a 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
93,983
En stock
1,056,000
Fábrica
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09958
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
-
30V
3.4 A, 2.8 A
60mOhm a 3.1A, 10V
2.3V a 250µA
13nC a 10V
400pF a 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TSOT-26
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
107,784
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.09832
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Complemento de canal N y P
Compuerta de nivel lógico
20V
600mA, 500mA
620mOhm a 600mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.7nC a 4.5V
21.3pF a 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-XFDFN
DFN1010B-6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
84,819
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.10559
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
20V
540mA, 430mA
550mOhm a 540mA, 4.5V
1V a 250µA
2.5nC a 4.5V
150pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
51,499
En stock
1,377,000
Fábrica
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08551
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
30V
3.8 A, 2.5 A
55mOhm a 3.4A, 10V
1.5V a 250µA
12.3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435,029
En stock
1,884,000
Fábrica
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10796
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
60V
500mA, 360mA
1.7Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.3nC a 4.5V
30pF a 25V, 25pF a 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
155,581
En stock
2,535,000
Fábrica
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07192
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
20V
1.03A, 700mA
480mOhm a 200mA, 5V
900mV a 250µA
0.5nC a 4.5V
37.1pF a 10V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64,682
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10796
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
60V
280mA
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
50pF a 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
41,798
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.10349
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
30V
590mA
670mOhm a 590mA, 4.5V
950mV a 250µA
1.05nC a 4.5V
30.3pF a 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-XFDFN
DFN1010B-6
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
12,320
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10780
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
2 canales N
-
30V
5A
32mOhm a 5.8A, 10V
1.5V a 250µA
-
1155pF a 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-VDFN
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10,655
En stock
48,000
Fábrica
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13616
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
30V
6.2A
30mOhm a 5.8A, 10V
2V a 250µA
10.6nC a 10V
500pF a 15V
1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-UDFN
U-DFN2020-6 (típico B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
89,577
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07387
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
300mA
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
30,614
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11065
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
30V
700mA, 500mA
388mOhm a 600mA, 10V
2.5V a 250µA
1.5nC a 10V
28pF a 15V
340mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
Demostración
de 5,695

Arreglos FET, MOSFET


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.