Transistores - FET - MOSFET - Matrices

Resultados : 4,861
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCree/WolfspeedDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
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Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 canal P (dual), drenaje común2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P (puente H)2 canales N y 2 canales P2 canales NDos canal N (doble)Dos canal N (doble), schottkyDos canal P (doble)
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Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 10VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VEstándar
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA (Ta)115mA115mA, 130mA120mA125mA
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.8mOhm a 1200A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V1mOhm a 38A, 10V1.25mOhm a 35A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.5mOhm a 33A, 10V1.6mOhm a 10A, 4.5V1.6mOhm a 40A, 10V1.66mOhm a 80A, 10V1.73mOhm a 760A, 15V1.8mOhm a 5A, 4.5V1.9mOhm a 8A, 4.5V
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Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.1pC, 0.7pC a 4.5V0.4pC, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.3nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V0.34nC a 4.5V0.35nC a 4.5V0.35nC a 5V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V9pF a 15V
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Potencia - Máx.
10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW200mW (Ta)200mW220mW
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSPPlaca descubierta 4-VFDFN
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Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)4-Picostar (1.31x1.31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1.26x1.26)4-WLCSP (1.57x1.57)
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Opciones de almacenamiento
Medios de comunicación
Opciones ambientales
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N.º de pieza de DK
Serie
Paquete
Estado de la pieza
Tipo FET
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
$7.17000
1,686 - Immediate
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)100V23A6.3mOhm a 20A, 5V2.5V a 5.5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
$0.35000
2,000 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-4786-2-ND
1727-4786-1-ND
1727-4786-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6nC a 4.5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
$0.44000
0 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC2700UDM-7TR-ND
DMC2700UDM-7CT-ND
DMC2700UDM-7DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V1.34 A, 1.14 A400mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74nC a 4.5V60.67pF a 16V1.12W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
$0.47000
70,681 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
2N7002DWH6327XTSA1TR-ND
2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
2N7002DWH6327XTSA1DKR-ND
OptiMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-6
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
$0.41000
190,705 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoFuente común de 2 canales N (doble)Compuerta de nivel lógico30V400mA1.2Ohm a 100mA, 4V1.2V a 250µA-39pF a 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN
$0.39000
28,997 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1469-2-ND
1727-1469-1-ND
1727-1469-6-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoComplemento de canal N y PCompuerta de nivel lógico20V600mA, 500mA620mOhm a 600mA, 4.5V950mV a 250µA0.7nC a 4.5V21.3pF a 10V265mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-XFDFNDFN1010B-6
SOT-963
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT963
$0.45000
77,818 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC2990UDJ-7DITR-ND
DMC2990UDJ-7DICT-ND
DMC2990UDJ-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V450mA, 310mA990mOhm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.5nC a 4.5V27.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
$0.52000
9,331 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
BSD840NH6327XTSA1TR-ND
BSD840NH6327XTSA1CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR-ND
OptiMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V880mA400mOhm a 880mA, 2.5V750mV a 1.6µA0.26nC a 2.5V78pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-6
DFN2020-6L
MCM3400A-TP
N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
$0.43000
8,800 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCM3400A-TPMSTR-ND
MCM3400A-TPMSCT-ND
MCM3400A-TPMSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales NEstándar30V5A32mOhm a 5.8A, 10V1.5V a 250µA-1155pF a 15V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-VDFNDFN2020-6L
SOT-563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
$0.44000
97,363 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG1026UV-7DITR-ND
DMG1026UV-7DICT-ND
DMG1026UV-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V410mA1.8Ohm a 500mA, 10V1.8V a 250µA0.45nC a 10V32pF a 25V580mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-563
DMG1024UV-7
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
$0.44000
25,450 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG1024UV-7DITR-ND
DMG1024UV-7DICT-ND
DMG1024UV-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V1.38A450mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74nC a 4.5V60.67pF a 16V530mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
$0.46000
145,303 - Immediate
840,000 - Factory
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V220mA, 200mA1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.38nC a 4.5V22.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
TSST8
TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
$0.52000
47,505 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
TT8M1TR-ND
TT8M1CT-ND
TT8M1DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal N y PCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V2.5A72mOhm a 2.5A, 4.5V1V a 1mA3.6nC a 4.5V260pF a 10V1W150°C (TJ)Montaje en superficie8-SMD, conductor plano8-TSST
EMT6_EMT6 PKg
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
$0.57000
25,956 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
EM6K1T2RTR-ND
EM6K1T2RCT-ND
EM6K1T2RDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V100mA8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-13pF a 5V150mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666EMT6
X2-DFN1310-6
DMN2005DLP4K-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
$0.54000
60,524 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN2005DLP4KDITR-ND
DMN2005DLP4KDICT-ND
DMN2005DLP4KDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V300mA1.5Ohm a 10mA, 4V900mV a 100µA--400mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-XFDFNX2-DFN1310-6 (típico B)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
$0.43000
64,250 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1926DL-T1-E3TR-ND
SI1926DL-T1-E3CT-ND
SI1926DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V370mA1.4Ohm a 340mA, 10V2.5V a 250µA1.4nC a 10V18.5pF a 30V510mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT-563
DMN32D2LV-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
$0.46000
246,373 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LV-7DITR-ND
DMN32D2LV-7DICT-ND
DMN32D2LV-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V400mA1.2Ohm a 100mA, 4V1.2V a 250µA-39pF a 3V400mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
$0.46000
10,250 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN2004DMKDITR-ND
DMN2004DMKDICT-ND
DMN2004DMKDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V540mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA-150pF a 16V225mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
$0.51000
106,413 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V8A24mOhm a 8.2A, 4.5V900mV a 250µA8.8nC a 4.5V867pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
$0.53000
27,191 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico60V190mA4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1.7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA931DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
$0.55000
16,578 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SIA931DJ-T1-GE3TR-ND
SIA931DJ-T1-GE3CT-ND
SIA931DJ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V4.5A65mOhm a 3A, 10V2.2V a 250µA13nC a 10V445pF a 15V7.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
$0.65000
2,953 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SIA906EDJ-T1-GE3TR-ND
SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND
SIA906EDJ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V4.5A46mOhm a 3.9A, 4.5V1.4V a 250µA12nC a 10V350pF a 10V7.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
$0.62000
10,161 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND
SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND
SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico12V4.5A28mOhm a 5.2A, 4.5V1V a 250µA16nC a 8V455pF a 6V7.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
$0.66000
24,957 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V4A58mOhm a 4.8A, 4.5V1.4V a 250µA26nC a 10V665pF a 10V3.1W-50°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
$0.74000
50,921 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI6968BEDQ-T1-GE3TR-ND
SI6968BEDQ-T1-GE3CT-ND
SI6968BEDQ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V5.2A22mOhm a 6.5A, 4.5V1.6V a 250µA18nC a 4.5V-1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40mm)8-TSSOP
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