3.8H (Ta) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
AO3424 MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	60,003 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10807 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	2.5V, 10V	80mOhm a 2A, 10V	1.8V a 250µA	3.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
AO3418 MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	41,390 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11563 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	2.5V, 10V	60mOhm a 3.8A, 10V	1.8V a 250µA	3.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMP3098L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	9,540 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11532 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	-	±20V	336 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3098LQ-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	78,233 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12192 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	8 nC @ 4.5 V	±20V	1008 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3150L-7 MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	40,605 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13016 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	28 V	3.8H (Ta)	2.5V, 10V	85mOhm a 3.6A, 4.5V	1.4V a 250µA	-	±12V	305 pF @ 5 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSR202NL6327HTSA1 MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Infineon Technologies	2,142 En stock	1 : $0.97000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22761 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8H (Ta)	2.5V, 4.5V	21mOhm a 3.8A, 4.5V	1.2V a 30µA	8.8 nC @ 4.5 V	±12V	1147 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SC59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLL2705TRPBF MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Infineon Technologies	48,444 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35772 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	3.8H (Ta)	4V, 10V	40mOhm a 3.8A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 10 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP7A17KTC MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 Diodes Incorporated	3,365 En stock	1 : $1.43000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.37825 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	70 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	160mOhm a 2.1A, 10V	1V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	635 pF @ 40 V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
ZXMP10A18KTC MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Diodes Incorporated	27,983 En stock	1 : $2.17000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.61408 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8H (Ta)	6V, 10V	150mOhm a 2.8A, 10V	4V a 250µA	26.9 nC @ 10 V	±20V	1055 pF @ 50 V	-	2.17W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP2120U-13 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1 Diodes Incorporated	7,920 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06394 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8H (Ta)	1.8V, 4.5V	62mOhm a 4.2A, 4.5V	1V a 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3099LQ-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Diodes Incorporated	1,547 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07790 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3085LSS-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO Diodes Incorporated	9,896 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.10616 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 5.3A, 10V	3V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
ZXMN3F30FHTA MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	1,090 En stock	1 : $0.90000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21518 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 3.2A, 10V	3V a 250µA	7.7 nC @ 10 V	±20V	318 pF @ 15 V	-	950mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H120SFG-7 MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Diodes Incorporated	24,381 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.29102 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8H (Ta)	6V, 10V	110mOhm a 3.3A, 10V	3V a 250µA	10.6 nC @ 10 V	±20V	549 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP1055USW-7 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 Diodes Incorporated	1,501 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12877 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	3.8H (Ta)	1.5V, 4.5V	48mOhm a 3A, 4.5V	1V a 250µA	13 nC @ 4.5 V	±8V	1028 pF @ 6 V	-	660mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ZXMN6A08GQTA MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 Diodes Incorporated	1,408 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.44515 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	80mOhm a 4.8A, 10V	1V a 250µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	459 pF @ 40 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
SI8410DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	7,425 En stock	1 : $1.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.45478 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8H (Ta)	1.5V, 4.5V	37mOhm a 1.5A, 4.5V	850mV a 250µA	16 nC @ 8 V	±8V	620 pF @ 10 V	-	780mW (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-Micro pie (1x1)	4-UFBGA
DMN10H120SFG-13 MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Diodes Incorporated	2,781 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27662 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8H (Ta)	6V, 10V	110mOhm a 3.3A, 10V	3V a 250µA	10.6 nC @ 10 V	±20V	549 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMN3060L-13 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	7,695 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05548 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 3.1A, 10V	1.8V a 250µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	404 pF @ 15 V	-	740mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3060L-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	1,990 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06637 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 3.1A, 10V	1.8V a 250µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	404 pF @ 15 V	-	740mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3407_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	4,098 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10478 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	528 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSF8309S MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30 Good-Ark Semiconductor	7,665 En stock	1 : $0.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05455 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	75mOhm a 3A, 10V	2.2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±25V	665 pF @ 15 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDZ197PZ 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET Fairchild Semiconductor	29,400 Mercado	808 : $0.37000 Granel	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8H (Ta)	1.5V, 4.5V	64mOhm a 2A, 4.5V	1V a 250µA	25 nC @ 4.5 V	±8V	1570 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WLCSP (1.0x1.5)	6-UFBGA, WLCSP
NTLUS4930NTAG MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN onsemi	26,899 Mercado	565 : $0.53000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	28.5mOhm a 6.1A, 10V	2.2V a 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	476 pF @ 15 V	-	650mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
NTLUS4930NTBG MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN onsemi	7,635 Mercado	565 : $0.53000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8H (Ta)	4.5V, 10V	28.5mOhm a 6.1A, 10V	2.2V a 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	476 pF @ 15 V	-	650mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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