3.8A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	188,477 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04725 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	129,457 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06510 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	62mOhm a 4.2A, 4.5V	1V a 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3424 MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	121,078 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	2.5V, 10V	80mOhm a 2A, 10V	1.8V a 250µA	3.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
AO3418 MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	25,548 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	2.5V, 10V	60mOhm a 3.8A, 10V	1.8V a 250µA	3.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMP3098L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	22,568 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09870 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	-	±20V	336 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLL2705TRPBF MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Infineon Technologies	58,185 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.27759 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	3.8A (Ta)	4V, 10V	40mOhm a 3.8A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 10 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP10A18KTC MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Diodes Incorporated	11,022 En stock 2,817,500 Fábrica	1 : $1.62000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.58045 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8A (Ta)	6V, 10V	150mOhm a 2.8A, 10V	4V a 250µA	26.9 nC @ 10 V	±20V	1055 pF @ 50 V	-	2.17W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP3099L-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	2,237 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05320 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3099LQ-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Diodes Incorporated	4,149 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05880 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3150L-7 MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	115,876 En stock 1,293,000 Fábrica	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08466 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	28 V	3.8A (Ta)	2.5V, 10V	85mOhm a 3.6A, 4.5V	1.4V a 250µA	-	±12V	305 pF @ 5 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3085LSS-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO Diodes Incorporated	10,513 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.09624 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 5.3A, 10V	3V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMP3098LQ-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	148,610 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11053 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	70mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	8 nC @ 4.5 V	±20V	1008 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN3F30FHTA MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	84,484 En stock 231,000 Fábrica	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13566 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 3.2A, 10V	3V a 250µA	7.7 nC @ 10 V	±20V	318 pF @ 15 V	-	950mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSR202NL6327HTSA1 MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Infineon Technologies	1,959 En stock	1 : $0.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17663 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8A (Ta)	2.5V, 4.5V	21mOhm a 3.8A, 4.5V	1.2V a 30µA	8.8 nC @ 4.5 V	±12V	1147 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SC59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H120SFG-7 MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Diodes Incorporated	45,273 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.23912 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8A (Ta)	6V, 10V	110mOhm a 3.3A, 10V	3V a 250µA	10.6 nC @ 10 V	±20V	549 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
ZXMP7A17KTC MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 Diodes Incorporated	18,614 En stock 277,500 Fábrica	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.34290 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	70 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	160mOhm a 2.1A, 10V	1V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	635 pF @ 40 V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
ZXMN6A08GTA MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 Diodes Incorporated	2,195 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.26928 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	80mOhm a 4.8A, 10V	1V a 250µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	459 pF @ 40 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
SI8410DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	1,635 En stock	1 : $1.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.42503 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	37mOhm a 1.5A, 4.5V	850mV a 250µA	16 nC @ 8 V	±8V	620 pF @ 10 V	-	780mW (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-Micro pie (1x1)	4-UFBGA
DMP3099LQ-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Diodes Incorporated	2,124 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05250 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP1055USW-7 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 Diodes Incorporated	2,286 En stock 93,000 Fábrica	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09894 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	3.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	48mOhm a 3A, 4.5V	1V a 250µA	13 nC @ 4.5 V	±8V	1028 pF @ 6 V	-	660mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ZXMN6A08GQTA MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 Diodes Incorporated	1,107 En stock	1 : $1.32000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.40355 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	80mOhm a 4.8A, 10V	1V a 250µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	459 pF @ 40 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
DMN10H120SFG-13 MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Diodes Incorporated	2,806 En stock	1 : $0.88000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23562 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.8A (Ta)	6V, 10V	110mOhm a 3.3A, 10V	3V a 250µA	10.6 nC @ 10 V	±20V	549 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
ZXM64P03XTA MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP Diodes Incorporated	686 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.65934 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	75mOhm a 2.4A, 10V	1V a 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	825 pF @ 25 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MSOP	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)
DMP2120U-13 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1 Diodes Incorporated	9,746 En stock 20,000 Fábrica	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05250 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	62mOhm a 4.2A, 4.5V	1V a 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3407_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	52,325 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08400 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	528 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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de 58

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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