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Transistores - IGBT - Módulos
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Comparar | Número de parte del fabricante | Precio | Stock | Proveedor | Fabricante | Cantidad mínima | N.º de pieza de DK | Serie | Paquete | Estado de la pieza | Tipo IGBT | Configuración | Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) | Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | Potencia - Máx. | Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic | Corriente - Corte de colector (Máx.) | Capacitancia de entrada (Cies) a Vce | Entrada | Termistor NTC | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Caja (carcasa) | Paquete del dispositivo del proveedor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
$26.96000 | 1,287 - Immediate | IXYS | IXYS | 1 | IXDN55N120D1-ND | - | Tubo | Activo | NPT | Simple | 1200 V | 100 A | 450 W | 2.8V a 15V, 55A | 3.8 mA | 3.3 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | ||
$34.78000 | 1,686 - Immediate | IXYS | IXYS | 1 | IXGN320N60A3-ND | GenX3™ | Tubo | Activo | PT | Simple | 600 V | 320 A | 735 W | 1.25V a 15V, 100A | 150 µA | 18 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | ||
$45.44000 | 639 - Immediate | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT75GP120JDQ3-ND | POWER MOS 7® | Tubo | Activo | PT | Simple | 1200 V | 128 A | 543 W | 3.9V a 15V, 75A | 1.25 mA | 7.04 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | ISOTOP® | ||
$108.39000 | 80 - Immediate | Littelfuse Inc. | Littelfuse Inc. | 1 Sin stock | F6498-ND | - | Granel | Obsoleto | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 200 A | 625 W | 1.7V a 15V, 150A (típico) | 1 mA | 10.5 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo S-3 | S3 | ||
$127.48000 | 224 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FZ400R12KE4HOSA1-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1200 V | 400 A | 2400 W | 2.1V a 15V, 400A | 5 mA | 28 nF @ 25 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$127.48000 | 93 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF200R12KT4HOSA1-ND | C | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 320 A | 1100 W | 2.15V a 15V, 200A | 5 mA | 14 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$214.18000 | 27 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF450R12KT4HOSA1-ND | C | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 450 A | 2400 W | 2.15V a 15V, 450A | 5 mA | 28 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$220.82000 | 38 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 2ED300C17SROHSBPSA1-ND | - | Granel | Activo | - | 2 independientes | 1700 V | - | - | - | - | - | Estándar | No | -25°C ~ 85°C | Orificio pasante | Módulo | Módulo | ||
$254.27000 | 104 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF600R12KE4BOSA1-ND | C | Bandeja | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 600 A | - | 2.2V a 15V, 600A | 5 mA | 38 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$363.11000 | 41 - Immediate | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APTGT600U170D4G-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1700 V | 1100 A | 2900 W | 2.4V a 15V, 600A | 1 mA | 51 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | D4 | D4 | ||
 IGBT MODULE LOW POWER EASY | $385.04000 | 36 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1-ND | - | Bandeja | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
$28.17000 | 261 - Immediate | IXYS | IXYS | 1 | IXXN110N65B4H1-ND | XPT™, GenX4™ | Tubo | Activo | PT | Simple | 650 V | 215 A | 750 W | 2.1V a 15V, 110A | 50 µA | 3.65 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | ||
$28.65000 | 120 - Immediate | STMicroelectronics | STMicroelectronics | 1 | 497-6731-5-ND | PowerMESH™ | Tubo | Activo | - | Simple | 600 V | 200 A | 600 W | 1.6V a 15V, 100A | 500 µA | 1.56 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | ||
$32.63000 | 273 - Immediate | IXYS | IXYS | 1 | IXDN75N120-ND | - | Tubo | Activo | NPT | Simple | 1200 V | 150 A | 660 W | 2.7V a 15V, 75A | 4 mA | 5.5 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | ||
$34.70000 | 255 - Immediate | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT100GT120JU2-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1200 V | 140 A | 480 W | 2.1V a 15V, 100A | 5 mA | 7.2 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | SOT-227 | ||
$113.40000 | 28 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF200R06KE3HOSA1-ND | C | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 600 V | 260 A | 680 W | 1.9V a 15V, 200A | 5 mA | - | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$162.14000 | 82 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF300R12KT4HOSA1-ND | C | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 450 A | 1600 W | 2.15V a 15V, 300A | 5 mA | 19 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$190.22000 | 55 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FP75R12KT4B11BOSA1-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Inversor trifásico | 1200 V | 75 A | 385 W | 2.15V a 15V, 75A | 1 mA | 4.3 nF @ 25 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$193.24000 | 28 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-F423MR12W1M1B11BOMA1-ND | - | Bandeja | Activo | Zanja | Puente completo | 1200 V | 50 A | 0.2 W | - | - | 3.68 nF @ 800 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | AG-EASY1BM-2 | ||
$198.74000 | 74 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FP75R12KE3BOSA1-ND | - | Granel | Activo | NPT | Simple | 1200 V | 105 A | 355 W | 2.2V a 15V, 75A | 5 mA | 5.3 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$243.43000 | 42 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | BSM50GP120BOSA1-ND | - | Granel | No para diseños nuevos | - | Inversor trifásico | 1200 V | 80 A | - | 2.55V a 15V, 50A | 500 µA | 3.3 pF @ 25 V | Rectificador de puente trifásico | Sí | -40°C ~ 125°C | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$247.62000 | 121 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FS150R12KT4BOSA1-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Inversor trifásico | 1200 V | 150 A | 750 W | 2.1V a 15V, 150A | 1 mA | - | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$313.22000 | 50 - Immediate | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF600R12ME4BOSA1-ND | - | Granel | No para diseños nuevos | Parada de campo de trinchera | 2 independientes | 1200 V | - | 4050 W | 2.1V a 15V, 600A | 3 mA | 37 nF @ 25 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$29.69000 | 443 - Immediate | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT60GA60JD60-ND | POWER MOS 8™ | Tubo | Activo | PT | Simple | 600 V | 112 A | 356 W | 2.5V a 15V, 62A | 275 µA | 8.01 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | ||
$41.64000 | 98 - Immediate | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT45GP120JDQ2-ND | POWER MOS 7® | Tubo | Activo | PT | Simple | 1200 V | 75 A | 329 W | 3.9V a 15V, 45A | 750 µA | 4 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | ISOTOP® |
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