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Transistores - IGBT - Módulos
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PRODUCTO DEL MERCADO
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Comparar | Número de parte del fabricante | Precio | Stock | Proveedor | Fabricante | Cantidad mínima | N.º de pieza de DK | Serie | Paquete | Estado del producto | Tipo IGBT | Configuración | Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) | Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | Potencia - Máx. | Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic | Corriente - Corte de colector (Máx.) | Capacitancia de entrada (Cies) a Vce | Entrada | Termistor NTC | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Caja (carcasa) | Paquete del dispositivo del proveedor |
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$47.59000 | 891: inmediato | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 | VS-GT180DA120U-ND | HEXFRED® | Tubo | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1200 V | 281 A | 1087 W | 2.05V a 15V, 100A | 100 µA | 9.35 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | ||
$220.82000 | 26: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 2ED300C17SROHSBPSA1-ND | EiceDriver™ | Granel | Activo | - | Medio puente | 1700 V | - | - | - | - | - | Estándar | No | -25°C ~ 85°C | Orificio pasante | Módulo | Módulo | ||
$780.00000 | 37: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FS820R08A6P2BBPSA1-ND | HybridPACK™ | Bandeja | Activo | Parada de campo de trinchera | Inversor trifásico | 750 V | 450 A | 714 W | 1.35V a 15V, 450A | 1 mA | 80 nF @ 50 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | AG-HYBRIDD-2 | ||
$36.10000 | 265: inmediato | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT75GN120JDQ3-ND | - | Tubo | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1200 V | 124 A | 379 W | 2.1V a 15V, 75A | 200 µA | 4.8 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | ISOTOP® | ||
$38.70000 | 221: inmediato | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT100GT120JU2-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Simple | 1200 V | 140 A | 480 W | 2.1V a 15V, 100A | 5 mA | 7.2 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | SOT-227 | ||
$42.71000 | 160: inmediato | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 | VS-GT100DA120UF-ND | HEXFRED® | Granel | Activo | Zanja | Simple | 1200 V | 187 A | 890 W | 2.55V a 15V, 100A | 100 µA | 6.15 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | ||
$45.80000 | 107: inmediato | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APT45GP120JDQ2-ND | POWER MOS 7® | Tubo | Activo | PT | Simple | 1200 V | 75 A | 329 W | 3.9V a 15V, 45A | 750 µA | 4 nF @ 25 V | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | ISOTOP | ISOTOP® | ||
$116.80000 | 26: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FF200R06KE3HOSA1-ND | C | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 600 V | 260 A | 680 W | 1.9V a 15V, 200A | 5 mA | - | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$199.16000 | 56: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FD450R12KE4PHOSA1-ND | C | Bandeja | Activo | Parada de campo de trinchera | Chopper simple | 1200 V | 450 A | - | 2.15V a 15V, 450A | 5 mA | - | Estándar | No | -40°C ~ 150°C | Montaje de chasis | Módulo | AG-62MM-1 | ||
$205.06000 | 35: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FS100R12KE3BOSA1-ND | - | Granel | Activo | NPT | Simple | 1200 V | 140 A | 480 W | 2.15V a 15V, 100A | 5 mA | 7.1 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$237.71000 | 101: inmediato | Microchip Technology | Microchip Technology | 1 | APTGT200A120G-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Medio puente | 1200 V | 280 A | 890 W | 2.1V a 15V, 200A | 350 µA | 14 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SP6 | SP6 | ||
$190.22000 | 48: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FP75R12KT4B11BOSA1-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Inversor trifásico | 1200 V | 75 A | 385 W | 2.15V a 15V, 75A | 1 mA | 4.3 nF @ 25 V | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$247.62000 | 109: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | FS150R12KT4BOSA1-ND | - | Granel | Activo | Parada de campo de trinchera | Inversor trifásico | 1200 V | 150 A | 750 W | 2.1V a 15V, 150A | 1 mA | - | Estándar | Sí | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | Módulo | Módulo | ||
$38.99000 | 160: inmediato | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 | VS-GT80DA120U-ND | HEXFRED® | Granel | Activo | Zanja | Simple | 1200 V | 139 A | 658 W | 2.55V a 15V, 80A | 100 µA | 4.4 nF @ 25 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | ||
$10.48000 | 466: inmediato | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | IM240M6Z1BALMA1-ND | - | Tubo | No para diseños nuevos | - | Inversor trifásico | 600 V | - | 8.9 W | 2.6V a 15V, 4A | 40 µA | - | Estándar | Sí | -40°C ~ 125°C | Montaje en superficie | Módulo 23-PowerSMD, Ala de gaviota | 23-SOP | ||
$18.23000 | 844: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Fairchild Semiconductor | 17 Sin stock | 2156-HGT1N30N60A4D-FS-ND | - | Tubo | Obsoleto | - | Simple | 600 V | 96 A | 255 W | 2.7V a 15V, 30A | 250 µA | - | Estándar | No | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | ||
$26.08000 | 2,076: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Fairchild Semiconductor | 12 Sin stock | 2156-FP7G50US60-FS-ND | Power-SPM™ | Tubo | Obsoleto | - | Medio puente | 600 V | 50 A | 250 W | 2.8V a 15V, 50A | 250 µA | 2.92 nF @ 30 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | EPM7 | EPM7 | ||
IGBT MODULE | $27.61000 | 672: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 11 | 2156-FDDF80R12W1H3B52BOMA1-ND | * | Granel | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
$29.63000 | 2,912: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Fairchild Semiconductor | 11 Sin stock | 2156-FP7G75US60-FS-ND | Power-SPM™ | Tubo | Obsoleto | - | Medio puente | 600 V | 75 A | 310 W | 2.8V a 15V, 75A | 250 µA | 4.515 nF @ 30 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | EPM7 | EPM7 | ||
$31.75000 | 148: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Fairchild Semiconductor | 10 Sin stock | 2156-FMG2G50US60-FS-ND | - | Granel | Obsoleto | - | Medio puente | 600 V | 50 A | 250 W | 2.8V a 15V, 50A | 250 µA | 3.46 nF @ 30 V | Estándar | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje de chasis | 7PM-GA | 7PM-GA | ||
$33.50000 | 3,236: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Fairchild Semiconductor | 9 Sin stock | 2156-FP7G100US60-FS-ND | Power-SPM™ | Tubo | Obsoleto | - | Medio puente | 600 V | 100 A | 400 W | 2.8V a 15V, 100A | 250 µA | 6.085 nF @ 30 V | Estándar | No | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaje de chasis | EPM7 | EPM7 | ||
$34.90000 | 285: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 9 | 2156-DF80R12W2H3B11BOMA1-ND | * | Granel | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
$34.98000 | 253: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 9 | 2156-DF100R07W1H5FPB53BPSA1-ND | * | Granel | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
$35.78000 | 240: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 9 | 2156-FS35R12YT3BOMA1-ND | * | Granel | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
$49.11000 | 892: inmediato | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 7 | 2156-FS50R07N2E4-ND | * | Granel | Activo | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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