Módulos del controlador de potencia

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo
Configuración
Corriente
Voltaje
Voltaje - Aislamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
3,034
En stock
1 : $5.05000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.85625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
1 fase
70 A
30 V
-
-
-
Montaje en superficie
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3,129
En stock
1 : $8.64000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $4.94572
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Medio puente
20 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
109
En stock
1 : $16.51000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
265
En stock
1 : $22.62000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 27-PowerDIP (1.205", 30.60mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
160
En stock
1 : $23.41000
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 23-PowerSIP, 19 conductores, conductores formados
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1,464
En stock
1 : $25.94000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $12.98853
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Inversor de medio puente
55 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 52-VQFN
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
290
En stock
240
Fábrica
1 : $28.29000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Inversor trifásico
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 27-PowerDIP (1.205", 30.60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
176
En stock
1 : $35.64000
Cinta cortada (CT)
250 : $24.58868
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Inversor de medio puente
55 A
650 V
-
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie, lateral humedecible
Placa descubierta 52-VQFN
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
291
En stock
1 : $36.87000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Inversor trifásico
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.094", 27.80mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
166
En stock
1 : $86.92000
Tubo
Tubo
Activo
MOSFET
Inversor trifásico
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.094", 27.80mm)
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3,930
En stock
1 : $5.90000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $3.07500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Medio puente
12 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
30-PowerVQFN
162
En stock
1 : $10.48000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
554
En stock
1 : $10.59000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
205
En stock
1 : $11.73000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
279
En stock
1 : $13.60000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
125
En stock
1 : $15.05000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 26-PowerDIP (1.024", 26.00mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
212
En stock
1 : $15.41000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 26-PowerDIP (1.024", 26.00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
184
En stock
1 : $15.74000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IKCM20R60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
180
En stock
1 : $16.52000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Bifásica
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
208
En stock
1 : $18.39000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
123
En stock
1 : $20.48000
Tubo
Tubo
Activo
MOSFET
Inversor trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
245
En stock
1 : $42.49000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Inversor trifásico
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.094", 27.80mm)
FNA21012A
FNA25060
MOD SPM 600V 50A SPMCA-A34
onsemi
36
En stock
18,984
Fábrica
1 : $67.21000
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
50 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 34-PowerDIP (1.480", 37.60mm)
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
En stock
1 : $213.98000
Bandeja
Bandeja
Activo
IGBT
Inversor trifásico
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Módulo
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,700
En stock
1 : $2.58000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.74375
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
1 fase
30 A
-
-
-
-
Montaje en superficie
Módulo 22-PowerVFQFN
Demostración
de 1,265

Módulos del controlador de potencia


Los módulos del controlador de potencia proporcionan la contención física para los componentes de potencia, por lo general, IGBT y MOSFET, en configuraciones de medio puente o monofásicas, bifásicas o trifásicas. Los semiconductores de potencia o matrices se sueldan o sinterizan sobre un sustrato que lleva los semiconductores de potencia y proporciona contacto eléctrico y térmico y aislamiento eléctrico donde sea necesario. Los módulos de potencia proporcionan una mayor densidad de potencia y, en muchos casos, son más fiables y fáciles de enfriar.