Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.85 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SQ4425EY-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4425EY-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 18H (Tc) 6.8W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3630 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 6.8W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 13A, 10V	Número de producto base SQ4425
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA