Name: SI8410DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8410DB-T2-E1TR-ND
Price: 1.6 USD
Availability: InStock

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SI8410DB-T2-E1
N.º de producto de DigiKey	SI8410DB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8410DB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8410DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI8410DB-T2-E1
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 3.8A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 4-Micro pie (1x1)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	37mOhm a 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	850mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	620 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-Micro pie (1x1)
Paquete / Caja (carcasa)	4-UFBGA
Número de producto base	SI8410