
SI4153DY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4153DY-T1-GE3 |
Descripción | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 14.3H (Ta), 19.3H (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4153DY-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm a 10A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) ±25V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3600 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.25000 | $1.25 |
| 10 | $0.78400 | $7.84 |
| 100 | $0.51510 | $51.51 |
| 500 | $0.39958 | $199.79 |
| 1,000 | $0.36237 | $362.37 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.32208 | $805.20 |
| 5,000 | $0.29717 | $1,485.85 |
| 7,500 | $0.28449 | $2,133.68 |
| 12,500 | $0.27023 | $3,377.88 |
| 17,500 | $0.26179 | $4,581.33 |
| 25,000 | $0.25359 | $6,339.75 |




