4-DIP
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFD9110

N.º de producto de Digi-Key
IRFD9110-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFD9110
Descripción
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Descripción detallada
Canal P Orificio pasante 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) 4-HVMDIP
Referencia del cliente
Hoja de datos  Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Paquete
Tubo
Estado del producto
Obsoleto
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
700mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.2Ohm a 420mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
200 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa)
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFD9110
Documentos y medios
Tipo de recursoEnlace
Hojas de datosIRFD9110
Archivo de video
MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/EOLSIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015
Hoja de datos HTMLIRFD9110
Modelos EDA/CADIRFD9110 by Ultra Librarian
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSNo cumple con RoHS
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres*IRFD9110
Embalaje estándar2,500
Sustitutos (1)
N.º de piezaFabricante Cantidad disponibleNúmero de pieza de Digi-KeyPrecio por unidad Tipo de reemplazo
IRFD9110PBFVishay Siliconix4,985IRFD9110PBF-ND$1.71000Directo