TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

S2M0080120J

N.º de producto de DigiKey
1655-S2M0080120J-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
S2M0080120J
Descripción
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Plazo estándar del fabricante
12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
100mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1324 pF @ 1000 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
234W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$9.05000$9.05
10$6.19800$61.98
100$4.58270$458.27
500$4.03776$2,018.88
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.