Name: RQ1C075UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C075UNTR-ND
Price: 1.1 USD
Availability: InStock

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RQ1C075UNTR
N.º de producto de DigiKey	RQ1C075UNTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ1C075UNCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ1C075UNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ1C075UNTR
Descripción	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ1C075UNTR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Número de producto base	RQ1C075