QS1200SCM36 Quest Semi | Productos de semiconductores discretos

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QS1200SCM36
N.º de producto de DigiKey	5403-QS1200SCM36-ND
Fabricante	Quest Semi
Número de pieza del fabricante	QS1200SCM36
Descripción	1200V 36AMP SiC Mosfet
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 36A 198W PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Quest Semi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	36A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 600 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1001 pF @ 800 V
Disipación de potencia (Máx.)	198W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3