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5-DFN, 8-SO Flat Lead

NVMFS5C442NLWFAFT3G

N.º de producto de Digi-Key
NVMFS5C442NLWFAFT3G-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
NVMFS5C442NLWFAFT3G
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Plazo estándar del fabricante
39 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 40V 29 A (Ta), 130 A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
29 A (Ta), 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN, 5 conectores
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3100pF @ 25V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Disponible para órdenes

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Embalaje estándar5,000