USD

8-WDFN

NTTFS5C673NLTWG

N.º de producto de Digi-Key
NTTFS5C673NLTWG-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
NTTFS5C673NLTWG
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Plazo estándar del fabricante
47 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
-
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
13 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
9.3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerWDFN
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
9.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
880pF @ 25V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSNo cumple con RoHS
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Disponible para órdenes

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Embalaje estándar5,000