Name: G3F25MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 21.33 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

G3F25MT12J-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G3F25MT12J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G3F25MT12J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3F25MT12J-TR
Descripción	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 87H (Tc) 362W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 128 nC @ 18 V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (máx.) +22V, -10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3325 pF @ 800 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 362W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 87H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 34A, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Vgs(th) (máx) a Id 4.3V a 24mA