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APTSM120AM09CD3AG

N.º de producto de Digi-Key
APTSM120AM09CD3AG-ND
Fabricante
Microsemi Corporation
Número de pieza del fabricante
APTSM120AM09CD3AG
Proveedor
Descripción
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Plazo estándar del fabricante
14 Semanas
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 1200V (1.2kV) 337 A (Tc) Montaje de chasis Módulo
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
Microsemi Corporation
Serie
-
Paquete
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Dos canal N (doble)
Característica de FET
Carburo de silicio (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
337 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11mOhm a 180A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1224nC a 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
23000pF a 1000V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Disponible para órdenes

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Embalaje estándar1