IRF8736PBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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Canal N Montaje en superficie 30 V 18H (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO

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IRF8736PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF8736PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF8736PBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 18H (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF8736PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm a 18A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.35V a 50µA
Serie HEXFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC @ 4.5 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2315 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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