IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

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Canal N Montaje en superficie 220 V 72H (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2

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IPB156N22NFDATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB156N22NFDATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB156N22NFDATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB156N22NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB156N22NFDATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 220 V 72H (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB156N22NFDATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 270µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ FD	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6930 pF @ 110 V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Disipación de potencia (Máx.) 300W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 220 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 72H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPB156
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15.6mOhm a 50A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQM90142E_GE3	Vishay Siliconix	1	SQM90142E_GE3CT-ND	$4.18000	Similar

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