Name: BSP170IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSP170IATMA1TR-ND
Price: 0.73 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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BSP170IATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSP170IATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSP170IATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSP170IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP170IATMA1
Descripción	BSP170IATMA1
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) PG-SOT223-4-U01
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	260mOhm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	550 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4-U01
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-3