Name: AUIRF7769L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7769L2TR-ND
Price: 10.5 USD
Availability: InStock

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AUIRF7769L2TR
N.º de producto de DigiKey	448-AUIRF7769L2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-AUIRF7769L2TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 448-AUIRF7769L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AUIRF7769L2TR
Descripción	MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) L8 isométrico DirectFET™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	AUIRF7769L2TR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	375A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5mOhm a 74A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11560 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	L8 isométrico DirectFET™
Paquete / Caja (carcasa)	L8 isométrico DirectFET™
Número de producto base	AUIRF7769