Name: DMWS120H100SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWS120H100SM4-ND
Price: 17.9 USD
Availability: InStock

DMWS120H100SM4
N.º de producto de DigiKey	31-DMWS120H100SM4-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMWS120H100SM4
Descripción	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 37.2 A(Tc) 208W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37.2 A(Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1516 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	DMWS120

Cantidad

Todos los precios se expresan en USD

Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$17.90000	$17.90
30	$11.90900	$357.27

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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