Name: DMNH6012SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6012SPSQ-13DITR-ND
Price: 2.16 USD
Availability: InStock

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DMNH6012SPSQ-13
N.º de producto de DigiKey	DMNH6012SPSQ-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMNH6012SPSQ-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMNH6012SPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMNH6012SPSQ-13
Descripción	MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 1.6W (Ta) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1926 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMNH6012