HEMT de GaN CG2H40010

El dispositivo CG2H40010 de Wolfspeed es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 10 W, CC - 6 GHz y potencia RF

Imagen de HEMT de CG2H40010 GaN de Cree WolfspeedEl CG2H40010 de Wolfspeed es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) sin precedentes. El transistor CG2H40010, que funciona desde un riel de 28 V, ofrece una solución de banda ancha de uso general para una variedad de aplicaciones de RF y microondas. Los HEMT de GaN ofrecen alta eficiencia, alta ganancia y amplias capacidades de ancho de banda, lo cual hace que CG2H40010 sea ideal para circuitos de amplificador lineal y comprimido. El transistor se encuentra disponible en un paquete de rosca y brida.

Características Aplicaciones
  • Funcionamiento con un máx. de 8 GHz
  • Baja ganancia de señal de 18 dB a 2.0 GHz
  • Baja ganancia de señal de 16 dB a 4.0 GHz
  • PSAT típico de 17 W
  • 70% de eficiencia a PSAT
  • Funcionamiento de 28 V
  • Radio privado de 2 vías
  • Amplificadores de ancho de banda
  • Infraestructura celular
  • Instrumentación de prueba
  • Clase A, AB, amplificadores lineales convenientes para OFDM, W-CDMA, EDGE, formas de onda de CDMA

CG2H40010 GaN HEMT

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipo de transistorFrecuenciaGananciaCantidad disponibleView Details
CG2H40010F datasheet linkRF MOSFET HEMT 28V 440166CG2H40010FRF MOSFET HEMT 28V 440166HEMT8 GHz16.5 dB243 - Inmediata
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Publicado: 2018-04-06