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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8800EDB-T2-E1CT-ND
Cantidad disponible 88,253
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI8800EDB-T2-E1

Descripción MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SI8800EDB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.3 nC a 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds -
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA, CSPBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8800EDB-T2-E1CT

21:37:14 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.46000 0.46
10 0.39000 3.90
25 0.36400 9.10
100 0.29130 29.13
250 0.27048 67.62
500 0.22886 114.43
1,000 0.17685 176.85

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI8800EDB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 84,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.15655
  • Digi-Reel® ? : SI8800EDB-T2-E1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 88,253 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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