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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF840APBF-ND
Cantidad disponible 16,132
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF840APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF840APBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850 mOhm a 4.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1018 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF840APBF

19:55:03 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.46000 1.46
10 1.30700 13.07
25 1.24040 31.01
100 1.01890 101.89
250 0.95244 238.11
500 0.84170 420.85
1,000 0.66450 664.50
2,500 0.62020 1,550.50
5,000 0.58919 2,945.95

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