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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF640PBF-ND
Cantidad disponible 4,679
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF640PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF640, SiHF640
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF640PBF

02:51:31 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.50000 1.50
10 1.34200 13.42
25 1.27400 31.85
100 1.04650 104.65
250 0.97824 244.56
500 0.86450 432.25
1,000 0.68250 682.50
2,500 0.63700 1,592.50
5,000 0.60515 3,025.75

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