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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540PBF-ND
Cantidad disponible 5,577
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF540PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF540PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 77 mOhm a 17 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF540PBF

00:55:41 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.62000 1.62
10 1.44800 14.48
25 1.37480 34.37
100 1.12930 112.93
250 1.05564 263.91
500 0.93290 466.45
1,000 0.73650 736.50
2,500 0.68740 1,718.50
5,000 0.65303 3,265.15

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