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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16130-5-ND
Cantidad disponible 991
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STW72N60DM2AG

Descripción MOSFET N-CH 600V 66A
Descripción ampliada N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STW72N60DM2AG
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 66 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 121 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5508 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 446 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 42 mOhm a 33 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-16130-5

00:39:31 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.73000 9.73
10 8.79100 87.91
100 7.27840 727.84
500 6.33796 3,168.98
1,000 5.52015 5,520.15

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