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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12344-1-ND
Cantidad disponible 2,874
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STQ2HNK60ZR-AP

Descripción MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Descripción ampliada N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx2HNK60Z(x)
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Categories
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 500 mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 15 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 280 pF a 25 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

02:16:48 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.79000 0.79
10 0.69300 6.93
100 0.53160 53.16
500 0.42024 210.12
1,000 0.33619 336.19

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